一：
柵壓技術(shù)百科
問題1：改變簾柵壓,屏流如何變化
柵壓答：當屏壓較高時(300V以上)，簾柵壓的變化對屏流的影響較大，可適當?shù)恼{(diào)整簾柵壓和柵負壓選取工作點，有條件者可以將簾柵壓采用穩(wěn)壓電路，使功放管工作更穩(wěn)定。
問題2：膽推挽機負柵壓大小有什么不同
柵壓答：膽推挽機負柵壓大小不同如下：1、膽機陰極電阻大小決定了陰極電壓的大小，也就決定了柵負壓的大小。2、陰極的電容和電阻的作用是提供自給柵負壓，是來控制靜態(tài)屏流的，改變就意味著改變了屏流，對膽管工作有所影響，對音質(zhì)。
問題3：電路中,MOS管柵壓變化時,它的漏源電壓Vds變嗎?就像下面這個電路。_百
答：b，因為場效應(yīng)管是壓控器件，通過調(diào)整柵極電壓來控制漏源機電壓。
問題4：電子管功放怎樣調(diào)整陽極電壓柵極電壓
柵壓答：測量供給功率管柵極偏壓值(使用固定偏壓),數(shù)值應(yīng)接近柵壓繞組交流電壓值。同時應(yīng)將每只功率管的柵極負壓調(diào)至最大值(負)。測量供給電壓放大、推動到相級電壓值,每級陽極電壓應(yīng)接近或等于設(shè)置的工作電壓值。(3)調(diào)整功率管靜態(tài)電流:插。
問題5：晶體管柵壓會改變接觸電阻嗎
答：晶體管柵壓會改變接觸電阻嗎有機薄膜晶體管在未來柔性、低成本、大面積電子器件方面有很好的應(yīng)用前景。但是，實驗中發(fā)現(xiàn)，有機薄膜晶體管源漏電極與溝道之間存在著較大接觸電阻，是影響有機薄膜晶體管性能的主要因素之一。
問題6：五極管接成三極管的方法?
答：由于簾柵極很密,這樣陽極電場幾乎不能透過簾柵極,所以既使柵極非常微弱的控制信號就能使陽流大幅度變化,這種接法得到的是一個高放大倍數(shù)的三極管不過,這種接法有一個致命的弱點,那就是柵壓必須為正才行,因為柵壓為負時。
問題7：場效應(yīng)管的特性是什么?
答：1、場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；2、場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。3、利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；4、組成的放大電路的。
問題8：什么是傳輸門(TG)
答：傳輸門就是一種傳輸模擬信號的模擬開關(guān)。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOSFET并聯(lián)而成。CMOS傳輸門由一個PMOS和一個NMOS管并聯(lián)構(gòu)成，其具有很低的導(dǎo)通電阻（幾百歐）和很高的截止電阻（大于10^9歐）。
問題9：在CMOS電路中,要有一個單管作為開關(guān)管精確傳遞模擬低電平,這個單管你會
答：N管的閾值電壓為正，P管的閾值電壓為負。在N管柵極加VDD,在漏極加VDD，那么源級的輸出電壓范圍為0倒VDD-Vth，因為N管的導(dǎo)通條件是Vgs>Vth，當輸出到達VDD-Vth時管子已經(jīng)關(guān)斷了。所以當柵壓為VDD時，源級的最高輸出。
問題10：場效應(yīng)管的原理
答：1)轉(zhuǎn)移特性(柵壓---漏流特性)圖4(a)給出了N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線,圖中Vp為夾斷電壓(柵源截止電壓);IDSS為飽和漏電流。圖4(b)給出了N溝道增強型絕緣柵場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線,圖中Vr為開啟電壓,當柵極。
二：
柵壓技術(shù)資料
問題1：GS導(dǎo)通45V,為何GS要達到12V以上,Rdson最小?
答：使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也能夠想像為兩個N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的樹立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決議。圖8給出了P溝道的MOS場效應(yīng)管的工作過程，其工作原理相似這里不再反復(fù)。
問題2：場效應(yīng)管的柵極和漏極可否擊穿
答：場效應(yīng)管源極電位比柵極電位高（約04V)。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可。
問題3：佳能2520復(fù)印機顯影偏壓怎樣調(diào)整
答：、手動調(diào)整復(fù)印件濃度時機器是否改變主充、柵壓、顯影偏壓。測試過程（機器為美能達數(shù)碼復(fù)印機Di351）：1、在機器默認相關(guān)濃度選項為：自動濃度、文字模式、初始濃度0，進維修模式查看當前柵壓/顯影偏壓分別為:-650V/-500V。
問題4：為使結(jié)型場效應(yīng)管工作在恒流區(qū),為什么其柵源之間必須加反向電壓?為什么
答：即恒流區(qū)。耗盡型mos管的sio2層摻加了大量的正離子，只有當UGS從零減少到某一負值（能將sio2層大量的正離子消耗完的某一值）漏–源之間的導(dǎo)電溝道才會消失，所以耗盡型mos管的柵–源電壓可正可零可負。
問題5：直放式電子管收音機高放第一級使用遙截止管好還是銳截止管好
答：使用銳截止管好一些。放大用的電子管有銳截止和遙截止兩種區(qū)別。銳截止電子管當柵壓變負時，屏流下降得快，柵負壓繼續(xù)增加，屏流就很快下降到零，柵壓對屏流的控制作用比較“敏銳”，所以叫銳截止管。遙截止的電子管當。
問題6：811電子管有正柵壓嗎
答：沒有。根據(jù)查詢相關(guān)公開信息顯示，811工作有柵流，需要自行加20V的正柵壓就可以了。
問題7：IGBT柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動電流應(yīng)該設(shè)多少
答：1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的。
問題8：三極管、場效應(yīng)管分別是什么控制元件
答：三極管是電流控制型元件，場效應(yīng)管是電壓控制型元件。相對而言，場效應(yīng)管的輸入電流小得多，所以是低功耗元器件。晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的。
問題9：場效應(yīng)管,耗盡型與增強型的區(qū)別是什么?
答：一、指代不同1、耗盡型：即在0柵偏壓時就能夠?qū)щ姷钠骷?、增強型：即在0柵偏壓時是不導(dǎo)電的器件，也就是只有當柵極電壓的大小大于其閾值電壓時才能出現(xiàn)導(dǎo)電溝道的場效應(yīng)晶體管。二、特點不同1、耗盡型：場效應(yīng)管。
問題10：場效應(yīng)管的問題
答：有四種可能：1、增強型MOS管；2、耗盡型MOS管；3、耗盡型MOS管；4、結(jié)型管。見圖：。
三 ：