一：
雪崩硅光電二極管技術(shù)百科
問(wèn)題1：半導(dǎo)體雪崩光電二極管的影響響應(yīng)速度的因素
答：現(xiàn)代雪崩光電二極管增益-帶寬積已達(dá)幾百吉赫。與一般的半導(dǎo)體光電二極管一樣，雪崩光電二極管的光譜靈敏范圍主要取決于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度。制備雪崩光電二極管的材料有硅、鍺、砷化鎵和磷化銦等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固。
問(wèn)題2：雪崩二極管APD倍增因子M的計(jì)算公式
答：VB為理想反向偏壓;V為反向偏壓的增加值。對(duì)于Si材料,n=15～4;對(duì)于Ge材料n=25～8。由式中還可看出,當(dāng)|V|→|VB|時(shí),M→∞,P-N結(jié)將發(fā)生雪崩擊穿。
問(wèn)題3：美國(guó)研發(fā)新型雪崩光電二極管可改進(jìn)激光雷達(dá)接收器
雪崩硅光電二極管答：蓋世汽車訊據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)弗吉尼亞大學(xué)（theUniversityofVirginia，UVA）和德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校（UniversityofTexas-Austin）電氣和計(jì)算機(jī)系的工程師研發(fā)了一款雪崩光電二極管，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的性能，有能力變革下一代夜視。
問(wèn)題4：半導(dǎo)體雪崩光電二極管的優(yōu)點(diǎn)
答：與真空光電倍增管相比，雪崩光電二極管具有小型、不需要高壓電源等優(yōu)點(diǎn)，因而更適于實(shí)際應(yīng)用；與一般的半導(dǎo)體光電二極管相比，雪崩光電二極管具有靈敏度高、速度快等優(yōu)點(diǎn)，特別當(dāng)系統(tǒng)帶寬比較大時(shí)，能使系統(tǒng)的探測(cè)性能獲得大的改善。
問(wèn)題5：什么是雪崩光電二極管APD
雪崩硅光電二極管答：簡(jiǎn)單說(shuō)，都可以產(chǎn)生光生電流，把光變成電。硅光電池：主要是能量轉(zhuǎn)化，一般工作于可見光波段，把光能轉(zhuǎn)化為電能，單晶硅18%左右，多晶硅16%左右，一般不會(huì)考慮信噪比；PIN:用于光至電信號(hào)轉(zhuǎn)換，通訊中常用，主要的有。
問(wèn)題6：雪崩光電二極管是一種內(nèi)部具有放大功能的光學(xué)傳感器,因此它能檢測(cè)極其微
雪崩硅光電二極管答：車到光電門的距離為x=12v光t=12×3×108×10-6m=15×102m車的速度v=xt＝20×181＝36m/s故選：B。
問(wèn)題7：apd是什么意思?
答：1、動(dòng)作電位時(shí)程APD是指動(dòng)作電位時(shí)程，是一個(gè)醫(yī)學(xué)概念，動(dòng)作電位時(shí)程，英文縮寫：APD（actionpotentialduration）。2、雪崩光電二極管雪崩光電二極管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P。
問(wèn)題8：PIN型硅光電二極管典型響應(yīng)電流及光弱的情況下最低響應(yīng)電流,雪崩型光
答：對(duì)于硅光電二極管在使用中，最低的響應(yīng)電流就是暗電流。而所謂最低響應(yīng)，實(shí)際上是從暗電流開始變化，上升開始，這時(shí)候是最低的響應(yīng)電流；對(duì)于應(yīng)用來(lái)說(shuō)，我們要求的是這個(gè)時(shí)候的光照度而對(duì)應(yīng)的電流。這個(gè)電流和這個(gè)光照度為最。
問(wèn)題9：檢測(cè)器件的異同:硅光電池,光電二極管(PIN),雪崩光電二極管(APD
答：PIN:用于光至電信號(hào)轉(zhuǎn)換，通訊中常用，主要的有工作于850nm波段和1100nm-1650nm波段的，轉(zhuǎn)化效率一般在085A/W左右，信噪比可以做到很高，這個(gè)過(guò)程中的噪聲主要是熱噪聲；APD:和PIN相比，多了一個(gè)雪崩增益區(qū)，可以發(fā)大光。
問(wèn)題10：雪崩光電二極管的保護(hù)環(huán)是如何保護(hù)二極管的
答：雪崩光電二極管偏壓保護(hù)裝置及電路申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)：200820117325本實(shí)用新型公開了一種雪崩光電二極管偏壓保護(hù)裝置及電路，其中，上述裝置包括供電單元和雪崩光電二極管，還包括反饋部，其中，反饋部的輸入端連接至供電單元的輸出端。
二：
雪崩硅光電二極管技術(shù)資料
問(wèn)題1：apd是什么意思?
答：1、動(dòng)作電位時(shí)程APD是指動(dòng)作電位時(shí)程，是一個(gè)醫(yī)學(xué)概念，動(dòng)作電位時(shí)程，英文縮寫：APD（actionpotentialduration）。2、雪崩光電二極管雪崩光電二極管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P。
問(wèn)題2：APD在醫(yī)學(xué)中指的是什么
答：APD一種國(guó)際常用名詞，包括德國(guó)APD蓄電池、雪崩光電二極管、阿普達(dá)國(guó)際（集團(tuán)）有限公司、動(dòng)作電位時(shí)程等。德國(guó)APD電氣有限公司全面引進(jìn)了德國(guó)先進(jìn)技術(shù)、設(shè)備和檢測(cè)系統(tǒng),為世界各地提供40多種規(guī)格的“APD”品牌中、小型密閉鉛酸蓄。
問(wèn)題3：光電倍增管和雪崩光電二極管有何不同?
雪崩硅光電二極管答：雪崩光電二極管是利用二極管的雪崩擊穿效應(yīng)制成的,光電倍增二極管是放大光電信號(hào)的。二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（。
問(wèn)題4：雪崩光電二極管的上升沿不抖而下降沿抖動(dòng)是什么原因
雪崩硅光電二極管答：?jiǎn)螐墓怆姸O管自身原因上來(lái)說(shuō)，主要是因?yàn)楣怆姸O管性能不穩(wěn)定引起反向漏電流變大，可能是因?yàn)樵匣蚴軣嵋鸬摹?/p>
問(wèn)題5：什么是雪崩增益效應(yīng)
雪崩硅光電二極管答：現(xiàn)代雪崩光電二極管增益-帶寬積已達(dá)幾百吉赫。與一般的半導(dǎo)體光電二極管一樣，雪崩光電二極管的光譜靈敏范圍主要取決于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度。制備雪崩光電二極管的材料有硅、鍺、砷化鎵和磷化銦等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固。
問(wèn)題6：雪崩光電二極管為何有寬帶寬
雪崩硅光電二極管答：光電二極管的帶寬主要和結(jié)電容相關(guān)，只要節(jié)電容做得小，就可以提高響應(yīng)頻率。當(dāng)然雪崩效應(yīng)對(duì)帶寬也有些影響，會(huì)讓同樣結(jié)電容的APD帶寬略小于PD，但不是主要影響因素。
問(wèn)題7：光電二極管短路接法
答：由于其更大的帶隙,硅光電二極管產(chǎn)生的噪聲比鍺光電二極管要小。然而,還需要考慮需要光電二極管的波長(zhǎng),并且鍺光電二極管必須用于長(zhǎng)于大約1000nm的波長(zhǎng)。光電二極管結(jié)構(gòu)光電二極管的關(guān)鍵要求之一是收集光的合適區(qū)域。在標(biāo)準(zhǔn)PN結(jié)內(nèi),這。
問(wèn)題8：PIN光電二極管與雪崩二極管的差別與優(yōu)缺點(diǎn)
答：PIN光電二極管響應(yīng)頻率高，可高達(dá)10GHZ，響應(yīng)速度快，供電電壓低，工作十分穩(wěn)定。雪崩二極管靈敏度高，響應(yīng)快，但雪崩二極管需要上百伏的工作電壓，而且性能和入射光功率有關(guān)，當(dāng)入射光功率大時(shí)，增益引起的噪聲大，帶來(lái)電流失真。
問(wèn)題9：請(qǐng)教圖片中的電子元器件是什么型號(hào)?應(yīng)該是光電二極管的一種,PIN光電二
答：比如有的僅介紹常用電阻、電容、電感、晶體二極管、三極管和集成電路常識(shí)；大部分元器件則需要查找專門的分類元器件手冊(cè)，如各種不同介質(zhì)的電容器、電位器、場(chǎng)效應(yīng)管、二極管、三極管、可控硅、晶體振蕩器、光電耦合器、各種開關(guān)。
問(wèn)題10：光電探測(cè)器的應(yīng)用
雪崩硅光電二極管答：固體光電探測(cè)器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測(cè)器件外，還可作太陽(yáng)能變換器；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快、可靠。
三 ：