一：
高正場效應管技術(shù)百科
問題1：IRF3205是什么管,場管嗎?參數(shù)是多少?
答：irf3205就是mos管，耐壓50v，過電流90A,直接去電子市場買3205也很容易，買不到的話，可以用BUK7510替代，還有網(wǎng)友提到的75n75也是可以的，耐壓都是夠的，就是電流不是那么大；不過用在捕魚機上是沒問題的；在安裝的時候。
問題2：p75nf75三極管有字的面朝上,焊腳對著自己,從左到右怎么識別基極集電
答：p75nf75是場效應管，接腳如圖，從左到右，依次為柵極G、漏極D、源極S。場效應管是利用電場效應來控制晶體管的電流，因而得名。它的外型也是一個三極管，因此又稱場效應三極管。它只有一種載流子參與導電的半導體器件，是。
問題3：液晶電視電源板上18n20擊穿怎么代換維修
答：液晶電視電源板上18n20擊穿可以用HM640代換維修18n20參數(shù)：是場效應管，N溝，18A，200V?？梢灾苯哟鷵Q型號有：HM640、KIA18N20、PFB18N20、SIF640、SM640、STP18N20、SMK1820D2、STB18N20說明：電路上的場效應管代換。
問題4：f2804s場管參數(shù)
答：55V。f2804s是一種功率場效應管，該場管參數(shù)分別是耐壓55V，電流175A，00047ohm，TO220AB封裝。場效應管是只有一種載流子參與導電的半導體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。
問題5：1rfp450三極管可以用什么代替?
答：是IRFP450，首字母是I不是1，而且這是場效應管，不是三極管。可以使用24NM65N、21NM60、15NM60、STP21NM60N_08代替，代替原則是參數(shù)相當或更強。24NM65N參數(shù)：650V19A160W016ΩN-MOSFET21NM60、15NM60。
問題6：場效應管怎么測量好壞
答：場效應管測量好壞的方法如下：是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×。
問題7：me2345a場效應管工作原理
高正場效應管答：通過控制柵極電壓來改變源極和漏極之間的導電能力。根據(jù)查詢相關(guān)公開信息顯示，柵極電壓變化會改變柵極-源極之間的電場強度，進而影響導電能力，從而實現(xiàn)電流控制。
問題8：為什么場效應管甲類功放很少
答：物料生產(chǎn)成本高、有限制。1、FET甲類功放所需的物料價格較高，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。2、FET管的電壓容限較窄，電路設計要求較高，穩(wěn)定性較差等，更容易受外界因素影響產(chǎn)生靜態(tài)工作點的偏差，使得設計和調(diào)試難度加大。
問題9：三極管F3205的作用
答：F3205是N溝道場效應管。封裝：TO-220AB，參數(shù)：VDSS=55V，ID=75A，RDS(on)=65mΩ，170W。
問題10：場效應管功放溫補問題
答：場效應管功放的溫度補償問題是一個重要的設計考慮因素。在功放工作時，場效應管會產(chǎn)生熱量，導致器件溫度升高。這會影響電路的工作狀態(tài)和性能穩(wěn)定性。為了解決這個問題，可以采取多種方法進行溫度補償。一種常見的方法是使用負。
二：
高正場效應管技術(shù)資料
問題1：改pa2030a有效果嗎
答：改pa2030a有效果。PA2030A雖然比較冷門但是無假貨。PA2030A功率為4X60W。改裝后效果比較明顯，重低音下沉明顯，人聲相比以前要有所改善。PA2030A是場效應管，場效應管與電子管都是電壓控制器件，其失真多為偶次失真，在音樂。
問題2：場效應管有哪幾種參數(shù)?
答：VDSS---最大-耐壓VDGR---柵漏耐壓VGS(th)---控制柵門限電壓(或叫最低柵控制電壓)VGSM---控制柵最大電壓ID---漏極最大電流tr---最大工作頻率(或叫響應速度)RDS(on)--D/S導通電阻使用者注意以上參數(shù)便。
問題3：電動車充電器上的開關(guān)管JCS12N65cT用什么型號的代換?
高正場效應管答：JCS12N65CT是N溝道MOS場效應管，它的主要參數(shù)是650V12A，可以代換的型號較多，比如12N70，700V，12A，2SK1466，900V20A，2SK1489，1000V，12A等等。
問題4：場效應管型號和參數(shù)
答：IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型（juncTIonFET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱。
問題5：f2007是場效應管嗎
高正場效應管答：f2007不是場效應管。根據(jù)查詢相關(guān)公開信息顯示，“F2007”通常指的是法拉第未來公司（FairchildSemiconductor）制造的一款功率場效應管（PowerMOSFET），而不是場效應管（JFET）。功率MOSFET和JFET都屬于場效應管的一種，但具有不。
問題6：mdf18n50用什么代換
答：mdf18N50場效應管可用23N50B和25N50代替，大于或等于該參數(shù)的場效應管都可以代換。mdf18N50是場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應管（junctionFET—JFET)和金屬。
問題7：電動車控制器中的功率管RU75N08能用P75NF75代換嗎?他們的引腳功能排列
高正場效應管答：電動車控制器中的RU75N08是N溝道功率場效應管，基本可以使用P75NF75場效應管代換（基本參數(shù)一樣，就是電流、功耗稍微小一點）。RU75N08場效應管的主要參數(shù)是：Rds(ON)=8mΩ，Vdss=75V，Is=80A，Pd=280W。P。
問題8：場效應管的作用是什么?
答：場效應管的作用1場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3場效應。
問題9：場管k2370參數(shù)電流耐壓
答：場效應管k2370參數(shù)，最大電流20A、耐壓為500V、額定功率為120W。場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide。
問題10：鑭系收縮詳細資料大全
答：介紹,收縮現(xiàn)象,基本現(xiàn)象,特點,舉例分析,導致后果,分離困難,新成員,金汞不活潑性,惰性電子效應,鑭系元素,規(guī)律理論,元素周期表,介紹鑭系金屬原子半徑從鑭到镥逐漸減少(符合元素周期表半徑規(guī)則,即同一周期從左往右半徑減小,同一周期從上。
三 ：