一：
晶振電容貼片技術(shù)百科
問(wèn)題1：晶振必須接瓷片電容嗎?
答：必須要接電容的，否則無(wú)法構(gòu)成諧振回路，對(duì)于單片機(jī)系統(tǒng)而言10MHz晶振配合15-33p都可以正常使用。
問(wèn)題2：晶振的負(fù)載電容對(duì)晶振頻點(diǎn)的大小有什么影響
晶振電容貼片答：原有電路使用的是33pF的兩個(gè)電容，則并聯(lián)起來(lái)是165pF，我們的貼片電容只有27pF,33pF，39pF,所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián)，則電容為1595pF。電容焊好后，測(cè)量比原來(lái)大了200多赫茲，落在了設(shè)計(jì)范圍內(nèi)。結(jié)論：晶振。
問(wèn)題3：電容是放在晶振前面好還是后面好
答：在晶振應(yīng)用中，幾乎所有的線(xiàn)路設(shè)計(jì)都會(huì)有晶振外接電容，晶振兩個(gè)腳的同一線(xiàn)路上焊接電容，線(xiàn)路的設(shè)計(jì)和到晶振的匹配電容不等，石英晶振DIP插件系列一般的常規(guī)16pf~22pf,貼片晶振的相對(duì)應(yīng)負(fù)載電容比較低，一般是7pf~16pf（1。
問(wèn)題4：想自己焊?jìng)€(gè)電路,不知道晶振應(yīng)該怎么接進(jìn)去
答：二、貼片晶振的自動(dòng)焊接方法采用自動(dòng)焊接方法時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：1、一般情況下烙鐵頭溫度控制在300℃左右，熱風(fēng)槍控制在200℃～400℃；其次，焊接時(shí)不允許直接加熱貼片晶振引腳的腳跟以上部位，以免損壞晶振內(nèi)部電容;2。
問(wèn)題5：四腳貼片晶振具體應(yīng)該怎么與芯片連接呢?在原理圖或pcb中具體每個(gè)腳應(yīng)
答：1,3腳與芯片連接就可以了。為了匹配負(fù)載，可以在1，3腳再分別連接匹配的負(fù)載電容到地就可以了。
問(wèn)題6：焊接晶振應(yīng)該注意什么
答：1，一般情況下烙鐵頭溫度控制在300℃左右，熱風(fēng)槍控制在200℃～400℃；2，焊接時(shí)不允許直接加熱貼片晶振引腳的腳跟以上部位，以免損壞晶振內(nèi)部電容；3，需要使用∮03mm～∮05mm的焊錫絲；烙鐵頭始終保持光滑，無(wú)鉤、無(wú)刺。
問(wèn)題7：51單片機(jī)晶振上接的電容大小該如何選擇
答：5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及110592M和20M24M都用的30P，單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路。在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱(chēng)。
問(wèn)題8：為什么晶振兩端要外接兩個(gè)電容呢
答：這兩個(gè)電容叫晶振的負(fù)載電容，分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容，一般在幾十皮發(fā)。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，也是使振蕩頻率更穩(wěn)定。實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容,接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。以接地點(diǎn)。
問(wèn)題9：一般的電路里晶振旁邊都接了兩個(gè)電容,是起什么作用的求解答
答：電路其實(shí)是個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩電路，輸出是正玄波晶體等效于電感，加兩個(gè)槽路分壓電容，輸入端的電容越小，正反饋量越大。負(fù)載電容每個(gè)晶振都會(huì)有的參數(shù)，例如穩(wěn)定度是多少PPM，部分人會(huì)稱(chēng)之為頻差，單位都是PPM，負(fù)載。
問(wèn)題10：電容,晶體,晶振,電感叫做什么,有什么用
答：您好，電容、晶體、晶振和電感都屬于電子元器件類(lèi)，都是如今使用比較廣泛的電子零件。電容：電容器的簡(jiǎn)稱(chēng)，是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等方面。石英。
二：
晶振電容貼片技術(shù)資料
問(wèn)題1：貼片電容有什么品牌
晶振電容貼片答：日本村田公司作為世界五百?gòu)?qiáng)的公司是世界上少數(shù)幾家能夠生產(chǎn)飛機(jī)，火箭，衛(wèi)星等高端電子元器件的廠(chǎng)商，其生產(chǎn)的電子元器件廣泛應(yīng)用于電子通訊的各個(gè)方面，生產(chǎn)的產(chǎn)品有，電容，電阻，電感，射頻頭，濾波器，晶振，傳感器等。
問(wèn)題2：晶振要配多大的電容比較合適?
晶振電容貼片答：晶振在電路中使用時(shí),應(yīng)滿(mǎn)足CL=C+CSCL為規(guī)格書(shū)中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過(guò)串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以。
問(wèn)題3：請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容的作用是什么?
答：負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振。
問(wèn)題4：晶振怎么配電容
答：可以使用的~請(qǐng)放心~頻率由晶振決定~15P可以的~但是注意不能相差太大或太小·~差大或者小穩(wěn)定性不好了~祝成功。
問(wèn)題5：如何選擇合適的單片機(jī)晶振電容
晶振電容貼片答：當(dāng)然晶振的電容也是按照不同的晶振類(lèi)型所制造的，這是理所當(dāng)然的。下面是晶振的電容選擇方法，一定要仔細(xì)看哦：晶振電容選擇的幾大標(biāo)準(zhǔn)（1）：在容許范圍內(nèi)，C1,C2值越低越好。（2）C值偏大雖有利于振蕩器的安穩(wěn)，但將。
問(wèn)題6：晶振電容作用是什么?
答：CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于18mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為22mA。陶瓷。
問(wèn)題7：晶振要配多大的電容比較合適?
答：晶振在電路中使用時(shí),應(yīng)滿(mǎn)足CL=C+CSCL為規(guī)格書(shū)中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過(guò)串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以。
問(wèn)題8：晶振旁邊接的是什么電容,起什么作用
答：晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會(huì)對(duì)頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會(huì)反而越高。
問(wèn)題9：51單片機(jī)晶振上接的電容如何選擇
答：=Cg也是可以的，Cd、Cg稱(chēng)作匹配電容或外接電容，其作用就是調(diào)節(jié)負(fù)載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是Cd、Cg串聯(lián)后的總電容值（Cd*Cg/(Cd+Cg)）才是有效的負(fù)載電容部分，假設(shè)Cd==Cg==30pF，那么Cd、Cg對(duì)。
問(wèn)題10：晶振要配多大電容?
晶振電容貼片答：應(yīng)滿(mǎn)足CL=C+CSCL為規(guī)格書(shū)中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過(guò)串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以根據(jù)以上公式就可以。
三 ：